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0.22N.A. module de laser de diode de 8W 808nm, module de laser de la diode 8W

0.22N.A. module de laser de diode de 8W 808nm, module de laser de la diode 8W

Nombre De Pièces: 1 Piece / Pieces
Période De Livraison: 4-huit semaines
Méthode De Paiement: T/T.
Capacité D'approvisionnement: 100 000 par an.
Les informations détaillées
Lieu d'origine
La Chine
Nom de marque
BWT
Certification
ISO9001
Numéro de modèle
K808F14CC-8.000W
Nom du produit:
module de laser de diode, module de diode laser, module de laser de puissance élevée
Puissance de sortie:
8W
longueur d'onde:
808nm
Ouverture numérique:
0.22N.A
Application:
Traitement matériel, usage médical
Quantité de commande min:
1 Piece / Pieces
Délai de livraison:
4-huit semaines
Conditions de paiement:
T/T.
Capacité d'approvisionnement:
100 000 par an.
High Light:

laser à diode 808nm

,

mini module de laser

Description du produit

Caractéristiques :

        8W de puissance de sortie

        de la longueur d'onde 808nm

       Accouplement standard de fibre pour 200μm/0.22NA 

Options de client :

       Viser la poutre

       Palladium de puissance

       Thermistance

       TECHNIQUE

 

Applications :

Usage médical

Traitement matériel

 

 

Caractéristiques (25℃) Symbole Unité K808F14CC-8.000W
Minimum Typique Maximum

Données optiques

 

 

Puissance d'Onde-sortie PO W 8 - -
Courant de seuil Ith A - 1,8  
Courant d'opération IOP A - - 11
Tension d'opération VOP V - - 2,2
Tension inverse Vre V - 2,5 -
Efficacité de pente η W/A - 0,8 -
Efficacité Électrique-à-optique PE % 40 - -
Longueur d'onde centrale ʎc nanomètre 798 - 818
Largeur spectrale (FWHM) δλ nanomètre - 6 -
Décalage de longueur d'onde avec la température - nm/℃ - 0,3 -
Données de fibre Diamètre de tampon Dbuf µm - 400 -
Diamètre de revêtement Dclad µm - 220 -
Diamètre de noyau Dcore µm - 200 -
Ouverture numérique Na - - 0,22 -
D'autres ESD Vesd V   - 500
Température de stockage Tstg -20 - 70
Temp de soudure d'avance Tls - - 260
Temps de soudure d'avance t sec - - 10
Température de carter fonctionnante Dessus 15 - 35
Hygrométrie Rhésus % 15 - 75
Données de palladium Actuel OMI μA 100 - 1000
Thermistance - Droite (Ω de K)/β (25℃) - 10±3%/3477 -
Viser des données de poutre De puissance de sortie PA mW - 2 -
Longueur d'onde La nanomètre 630 - 643
Tension Va V - 2,2 -
Actuel La mA - 45 65
Données TECHNIQUES Max. Current   A - 6 -
Max. Voltage   V - 9,8 -
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DéTAILS DES PRODUITS
0.22N.A. module de laser de diode de 8W 808nm, module de laser de la diode 8W
Nombre De Pièces: 1 Piece / Pieces
Période De Livraison: 4-huit semaines
Méthode De Paiement: T/T.
Capacité D'approvisionnement: 100 000 par an.
Les informations détaillées
Lieu d'origine
La Chine
Nom de marque
BWT
Certification
ISO9001
Numéro de modèle
K808F14CC-8.000W
Nom du produit:
module de laser de diode, module de diode laser, module de laser de puissance élevée
Puissance de sortie:
8W
longueur d'onde:
808nm
Ouverture numérique:
0.22N.A
Application:
Traitement matériel, usage médical
Quantité de commande min:
1 Piece / Pieces
Délai de livraison:
4-huit semaines
Conditions de paiement:
T/T.
Capacité d'approvisionnement:
100 000 par an.
High Light

laser à diode 808nm

,

mini module de laser

Description du produit

Caractéristiques :

        8W de puissance de sortie

        de la longueur d'onde 808nm

       Accouplement standard de fibre pour 200μm/0.22NA 

Options de client :

       Viser la poutre

       Palladium de puissance

       Thermistance

       TECHNIQUE

 

Applications :

Usage médical

Traitement matériel

 

 

Caractéristiques (25℃) Symbole Unité K808F14CC-8.000W
Minimum Typique Maximum

Données optiques

 

 

Puissance d'Onde-sortie PO W 8 - -
Courant de seuil Ith A - 1,8  
Courant d'opération IOP A - - 11
Tension d'opération VOP V - - 2,2
Tension inverse Vre V - 2,5 -
Efficacité de pente η W/A - 0,8 -
Efficacité Électrique-à-optique PE % 40 - -
Longueur d'onde centrale ʎc nanomètre 798 - 818
Largeur spectrale (FWHM) δλ nanomètre - 6 -
Décalage de longueur d'onde avec la température - nm/℃ - 0,3 -
Données de fibre Diamètre de tampon Dbuf µm - 400 -
Diamètre de revêtement Dclad µm - 220 -
Diamètre de noyau Dcore µm - 200 -
Ouverture numérique Na - - 0,22 -
D'autres ESD Vesd V   - 500
Température de stockage Tstg -20 - 70
Temp de soudure d'avance Tls - - 260
Temps de soudure d'avance t sec - - 10
Température de carter fonctionnante Dessus 15 - 35
Hygrométrie Rhésus % 15 - 75
Données de palladium Actuel OMI μA 100 - 1000
Thermistance - Droite (Ω de K)/β (25℃) - 10±3%/3477 -
Viser des données de poutre De puissance de sortie PA mW - 2 -
Longueur d'onde La nanomètre 630 - 643
Tension Va V - 2,2 -
Actuel La mA - 45 65
Données TECHNIQUES Max. Current   A - 6 -
Max. Voltage   V - 9,8 -
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