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Au revoir à la scie traditionnelle pour le carbure de silicium! Le laser infrarouge de 15W de BWT aide l'industrie des semi-conducteurs à s'envoler.
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Au revoir à la scie traditionnelle pour le carbure de silicium! Le laser infrarouge de 15W de BWT aide l'industrie des semi-conducteurs à s'envoler.

2024-12-13
Latest company news about Au revoir à la scie traditionnelle pour le carbure de silicium! Le laser infrarouge de 15W de BWT aide l'industrie des semi-conducteurs à s'envoler.

Alors que la concurrence mondiale dans l'industrie des semi-conducteurs s'intensifie, le matériau semi-conducteur de troisième génération, le carbure de silicium (SiC),est de plus en plus favorisé par diverses industries telles que les véhicules à énergie nouvelle, de l'électronique et de l'aérospatiale.

 

dernières nouvelles de l'entreprise Au revoir à la scie traditionnelle pour le carbure de silicium! Le laser infrarouge de 15W de BWT aide l'industrie des semi-conducteurs à s'envoler.  0

Matériau semi-conducteur de troisième génération, carbure de silicium (SiC)

 

Laser picoseconde infrarouge de 15 W: un outil de précision pour l'usinage du carbure de silicium

 

Comparé aux appareils électroniques au silicium traditionnels, le carbure de silicium (SiC) est devenu un nouveau matériau de substrat de semi-conducteurs en raison de ses multiples avantages.en raison des différences significatives entre les propriétés du silicium et du carbure de silicium, les procédés de fabrication de circuits intégrés existants ne peuvent pas répondre pleinement aux exigences d'usinage du carbure de silicium.

 

En prenant l'exemple de la découpe de plaquettes, la scie mécanique, bien qu'une méthode traditionnelle, s'avère inadéquate pour le carbure de silicium.C' est presque pareil au diamant.Le carbure de silicium génère non seulement une grande quantité de copeaux pendant le processus de sciage, mais provoque également une usure rapide des lames de sciage à diamants coûteuses.et la chaleur générée peut nuire aux propriétés du matériau.

 

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Plaquettes de carbure de silicium

 

Cependant, l'émergence de la technologie de découpe laser à impulsions ultra courtes sans contact a fourni une nouvelle solution pour l'usinage du carbure de silicium.Cette technologie peut réduire ou éliminer considérablement les éclats de bords, réduit au minimum les changements mécaniques dans le matériau (tels que les fissures, les contraintes et autres défauts), et de réaliser une coupe efficace et précise.augmentant considérablement le nombre de copeaux par wafer, réduisant ainsi les coûts.

 

Dans des procédés tels que la découpe, le scribing et le décapage à l'aide d'un film mince des plaquettes de carbure de silicium, la technologie laser picoseconde, avec ses avantages uniques,est devenue la solution privilégiée reconnue par l'industrie et joue un rôle de plus en plus important dans l'innovation des technologies de traitement des matériaux.

 

Le laser infrarouge de 15 W en picosecondes développé par BWT est un exemple remarquable de cette technologie.Ce produit possède non seulement tous les avantages mentionnés ci-dessus, mais peut également être personnalisé en fonction des besoins du clientSa longueur d'onde est de 1064 nm, avec des largeurs d'impulsions allant de 10 ps à 150 ps, et des fréquences de répétition librement réglables entre 5 kHz et 1000 kHz, avec une puissance moyenne > 15 W à 50 kHz.Il prend en charge les numéros de train d'impulsions sélectionnables de 1 à 10, avec M2 < 1.4, angle de divergence < 1 mrad, et une taille de tache contrôlée avec précision à 2,5±0,2 mm. Sa précision de pointe du faisceau est de < 50 urad, assurant un traitement précis et sans faille à chaque fois.

 

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BWT 15W Picoseconde laser infrarouge

 

 

Dans les applications pratiques, le laser infrarouge BWT de 15 W en picosecondes offre des avantages significatifs,non seulement améliorer considérablement la vitesse de traitement, mais aussi réaliser un bond qualitatif dans la cohérence de la qualité du produit et le rendementL'analyse d'images réalisée à l'aide d'un microscope électronique à balayage montre que les bords traités avec des lasers de picosecondes sont plus lisses, sans quasiment aucune micro-fissure.

 

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Traitement du carbure de silicium par laser BWT

 

Cas d'application: Modification et découpe de plaquettes de carbure de silicium

 

Exigences du client

 

Pour répondre à la demande croissante de puces de puissance dans le secteur manufacturier haut de gamme, de nombreux clients sont désireux d'améliorer l'efficacité et le rendement du traitement.ils visent à atteindre une qualité de transformation exceptionnelle, avec des effets de coupe invisibles qui ne laissent aucune marque d'ablation, une droiture supérieure et un minimum de déchiquetage des bords.Réduire les pertes de matériaux et maximiser le rendement des plaquettes sont les principales préoccupations des clients.

 

Des difficultés de traitement

 

La dureté élevée du carbure de silicium rend difficile l'obtention de résultats de traitement idéaux avec les méthodes de découpe mécanique traditionnelles.le contrôle des paramètres pendant le processus de découpe laser est très complexe, impliquant des facteurs tels que l'énergie d'impulsion unique du laser, la distance d'alimentation, la fréquence de répétition de l'impulsion, la largeur de l'impulsion et la vitesse de balayage.Ces paramètres affectent de manière significative la largeur des zones d'ablation sur les surfaces supérieure et inférieure.En outre, en raison de l'indice de réfraction élevé du carbure de silicium, la position de mise au point nécessite une grande précision de mouvement,nécessitant l'inclusion d'une fonction de suivi de la mise au point, ainsi que la surveillance en temps réel et la compensation des variations de mise au point.

 

Solution

 

1Technologie multifocale: en utilisant la technologie de modulation de phase, le nombre, la position et l'énergie des points focaux peuvent être ajustés de manière flexible.Plusieurs points focaux sont générés le long de l'axe optique à l'intérieur de la waferCette approche augmente considérablement l'efficacité de coupe et contrôle efficacement la production de fissures axiales.

 

2Technologie de correction d'aberration: pour corriger l'aberration sphérique causée par le décalage de l'indice de réfraction,la technologie de correction d'aberration avancée est utilisée pour améliorer considérablement la distribution de l'énergie du faisceau laser, ce qui garantit que l'énergie laser est plus concentrée, améliorant ainsi à la fois la qualité et l'efficacité de la coupe des plaquettes.


3Technologie de suivi de la mise au point: en surveillant les variations de mise au point causées par les ondulations de surface pendant le traitement,une compensation en temps réel est appliquée pour assurer la stabilité de la position de mise au point pendant le processus de coupe, assurant ainsi une qualité de coupe constante.

 

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Effets microscopiques après la modification au laser

 

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Effets microscopiques après stratification et fractionnement

 

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Effets microscopiques de la coupe transversale de la gaufre

 

Le laser infrarouge BWT 15W picoseconde, avec ses avantages en termes de stabilité, de flexibilité de traitement, de qualité de traitement, de qualité de l'air et de qualité de l'air, est un laser de qualité.et de l'adaptabilité des matériaux, est destiné à devenir l'équipement de base dans l'industrie de transformation du carbure de silicium, menant la transformation de l'industrie.

 

 

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Alors que la concurrence mondiale dans l'industrie des semi-conducteurs s'intensifie, le matériau semi-conducteur de troisième génération, le carbure de silicium (SiC),est de plus en plus favorisé par diverses industries telles que les véhicules à énergie nouvelle, de l'électronique et de l'aérospatiale.

 

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Matériau semi-conducteur de troisième génération, carbure de silicium (SiC)

 

Laser picoseconde infrarouge de 15 W: un outil de précision pour l'usinage du carbure de silicium

 

Comparé aux appareils électroniques au silicium traditionnels, le carbure de silicium (SiC) est devenu un nouveau matériau de substrat de semi-conducteurs en raison de ses multiples avantages.en raison des différences significatives entre les propriétés du silicium et du carbure de silicium, les procédés de fabrication de circuits intégrés existants ne peuvent pas répondre pleinement aux exigences d'usinage du carbure de silicium.

 

En prenant l'exemple de la découpe de plaquettes, la scie mécanique, bien qu'une méthode traditionnelle, s'avère inadéquate pour le carbure de silicium.C' est presque pareil au diamant.Le carbure de silicium génère non seulement une grande quantité de copeaux pendant le processus de sciage, mais provoque également une usure rapide des lames de sciage à diamants coûteuses.et la chaleur générée peut nuire aux propriétés du matériau.

 

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Plaquettes de carbure de silicium

 

Cependant, l'émergence de la technologie de découpe laser à impulsions ultra courtes sans contact a fourni une nouvelle solution pour l'usinage du carbure de silicium.Cette technologie peut réduire ou éliminer considérablement les éclats de bords, réduit au minimum les changements mécaniques dans le matériau (tels que les fissures, les contraintes et autres défauts), et de réaliser une coupe efficace et précise.augmentant considérablement le nombre de copeaux par wafer, réduisant ainsi les coûts.

 

Dans des procédés tels que la découpe, le scribing et le décapage à l'aide d'un film mince des plaquettes de carbure de silicium, la technologie laser picoseconde, avec ses avantages uniques,est devenue la solution privilégiée reconnue par l'industrie et joue un rôle de plus en plus important dans l'innovation des technologies de traitement des matériaux.

 

Le laser infrarouge de 15 W en picosecondes développé par BWT est un exemple remarquable de cette technologie.Ce produit possède non seulement tous les avantages mentionnés ci-dessus, mais peut également être personnalisé en fonction des besoins du clientSa longueur d'onde est de 1064 nm, avec des largeurs d'impulsions allant de 10 ps à 150 ps, et des fréquences de répétition librement réglables entre 5 kHz et 1000 kHz, avec une puissance moyenne > 15 W à 50 kHz.Il prend en charge les numéros de train d'impulsions sélectionnables de 1 à 10, avec M2 < 1.4, angle de divergence < 1 mrad, et une taille de tache contrôlée avec précision à 2,5±0,2 mm. Sa précision de pointe du faisceau est de < 50 urad, assurant un traitement précis et sans faille à chaque fois.

 

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BWT 15W Picoseconde laser infrarouge

 

 

Dans les applications pratiques, le laser infrarouge BWT de 15 W en picosecondes offre des avantages significatifs,non seulement améliorer considérablement la vitesse de traitement, mais aussi réaliser un bond qualitatif dans la cohérence de la qualité du produit et le rendementL'analyse d'images réalisée à l'aide d'un microscope électronique à balayage montre que les bords traités avec des lasers de picosecondes sont plus lisses, sans quasiment aucune micro-fissure.

 

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Traitement du carbure de silicium par laser BWT

 

Cas d'application: Modification et découpe de plaquettes de carbure de silicium

 

Exigences du client

 

Pour répondre à la demande croissante de puces de puissance dans le secteur manufacturier haut de gamme, de nombreux clients sont désireux d'améliorer l'efficacité et le rendement du traitement.ils visent à atteindre une qualité de transformation exceptionnelle, avec des effets de coupe invisibles qui ne laissent aucune marque d'ablation, une droiture supérieure et un minimum de déchiquetage des bords.Réduire les pertes de matériaux et maximiser le rendement des plaquettes sont les principales préoccupations des clients.

 

Des difficultés de traitement

 

La dureté élevée du carbure de silicium rend difficile l'obtention de résultats de traitement idéaux avec les méthodes de découpe mécanique traditionnelles.le contrôle des paramètres pendant le processus de découpe laser est très complexe, impliquant des facteurs tels que l'énergie d'impulsion unique du laser, la distance d'alimentation, la fréquence de répétition de l'impulsion, la largeur de l'impulsion et la vitesse de balayage.Ces paramètres affectent de manière significative la largeur des zones d'ablation sur les surfaces supérieure et inférieure.En outre, en raison de l'indice de réfraction élevé du carbure de silicium, la position de mise au point nécessite une grande précision de mouvement,nécessitant l'inclusion d'une fonction de suivi de la mise au point, ainsi que la surveillance en temps réel et la compensation des variations de mise au point.

 

Solution

 

1Technologie multifocale: en utilisant la technologie de modulation de phase, le nombre, la position et l'énergie des points focaux peuvent être ajustés de manière flexible.Plusieurs points focaux sont générés le long de l'axe optique à l'intérieur de la waferCette approche augmente considérablement l'efficacité de coupe et contrôle efficacement la production de fissures axiales.

 

2Technologie de correction d'aberration: pour corriger l'aberration sphérique causée par le décalage de l'indice de réfraction,la technologie de correction d'aberration avancée est utilisée pour améliorer considérablement la distribution de l'énergie du faisceau laser, ce qui garantit que l'énergie laser est plus concentrée, améliorant ainsi à la fois la qualité et l'efficacité de la coupe des plaquettes.


3Technologie de suivi de la mise au point: en surveillant les variations de mise au point causées par les ondulations de surface pendant le traitement,une compensation en temps réel est appliquée pour assurer la stabilité de la position de mise au point pendant le processus de coupe, assurant ainsi une qualité de coupe constante.

 

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Effets microscopiques après la modification au laser

 

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Effets microscopiques après stratification et fractionnement

 

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Effets microscopiques de la coupe transversale de la gaufre

 

Le laser infrarouge BWT 15W picoseconde, avec ses avantages en termes de stabilité, de flexibilité de traitement, de qualité de traitement, de qualité de l'air et de qualité de l'air, est un laser de qualité.et de l'adaptabilité des matériaux, est destiné à devenir l'équipement de base dans l'industrie de transformation du carbure de silicium, menant la transformation de l'industrie.

 

 

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