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laser de diode de la puissance 808nm55W élevée

laser de diode de la puissance 808nm55W élevée

808nm55W High Power Diode Laser

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Chine Pékin (continentale)
Nom de marque: BWT
Certification: ISO9001
Numéro de modèle: K808DA5RN-55.00W (produit standard)

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1 Piece / Pieces
Délai de livraison: 4-huit semaines
Conditions de paiement: T/T.
Capacité d'approvisionnement: 200,000/year
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Description de produit détaillée

Caractéristiques :

longueur d'onde 808nm

55W de puissance de sortie

diamètre de noyau de fibre de 400μm

0,22 N.A.

 

Applications :

Pompage par laser

Usage médical

Traitement matériel

 

 

 

Caractéristiques (25℃) Symbole Unité K808DA5RN-55.00W
Minimum Typique Maximum

Données optiques

 

 

Puissance d'Onde-sortie PO W 40 - -
Longueur d'onde centrale λc nanomètre 805 - 811
Courant de seuil Ith A - 1,8  
Courant d'opération IOP A - - 11
Tension d'opération VOP V - - 14
Tension inverse Vre V - 17,5 -
Efficacité de pente η W/A - 7,4 -
Efficacité Électrique-à-optique PE % - 48 -
Largeur spectrale (FWHM) δλ nanomètre - 5 -
Gamme de longueurs d'onde de réflexion arrière λ nanomètre 1040 - 1200
Décalage de longueur d'onde avec la température △λ/△T nm/℃ - 0,3 -
Décalage de longueur d'onde avec le courant △λ/△A nm/A - 1 -
Données de fibre Diamètre de noyau Dcore µm   400  
Diamètre de revêtement Dclad um - 440 -
Diamètre de tampon Dbuf µm - 730 -
Ouverture numérique N.A - - 0,22 -
Longueur de fibre LC m 1,4 1,5 1,6
Connecteur - - - SMA905 -
Veste de fibre - -   3.0mmPVC  
Rayon de cintrage de fibre - millimètre - 140 -
Thermistance Gamme de longueurs d'onde Droite (Ω de K)/β (25℃) - 10±3%/3477 -
D'autres ESD Vesd V   - 500
Température de stockage Tstg -20 - 70
Temp de soudure d'avance Tls - - 260
Temps de soudure d'avance t sec - - 10
Température de carter fonctionnante Dessus 15 - 35
Hygrométrie Rhésus % 15 - 75

Coordonnées
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