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laser Longueur d'onde-stabilisé de diode d'intense luminosité de 976nm 50W

laser Longueur d'onde-stabilisé de diode d'intense luminosité de 976nm 50W

976nm 50W High Brightness Wavelength-Stabilized Diode Laser

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Chine Pékin (continentale)
Nom de marque: BWT
Certification: ISO9001
Numéro de modèle: K976AA5RN-50.00W

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1 Piece / Pieces
Délai de livraison: 4-huit semaines
Conditions de paiement: T/T.
Capacité d'approvisionnement: 100 000 par an.
Nom du produit: module de laser de diode, module de diode laser, module de laser de puissance élevée
Puissance de sortie: 50W
longueur d'onde: 976nm
Diamètre de faisceau de fibres: 105µm
Ouverture numérique: 0.15N.A
Application: laser a fibre de pompage
Contactez maintenant
Description de produit détaillée

Caractéristiques :

  

longueur d'onde 976nm

50W de puissance de sortie

diamètre de noyau de fibre de 105µm

0.15N.A.

△λ étroit ≦0.7nm de largeur de bande

protection du retour 1040nm-1200nm

 

Applications :

Pompage par laser de fibre

 

Caractéristiques (25℃)

 

Symbole

 

Unité

 

K976AA5RN-50.0W
Minimum Typique Maximum
Données optiques Puissance d'Onde-sortie PO W 50 - -
Longueur d'onde centrale λc nanomètre 976±0.5
Largeur spectrale (FWHM) △λ nanomètre <0.7
Chaîne verrouillée de longueur d'onde - A (Iop-2) | IOP
Décalage de longueur d'onde avec la température △λ/△T nm/℃ - 0,02 -
Décalage de longueur d'onde avec le courant △λ/△A A/℃ - 0,03 -
Données électriques Efficacité Électrique-à-optique PE %   45 -
Courant de seuil lth A - 0,9 -
Courant d'opération taillez A - 10,5 11
Tension d'opération VOP V - 12 12,5
Efficacité de pente η W/A - 5,3 -

Données de fibre

 

Diamètre de noyau Dcore μm - 105 -
Diamètre de revêtement Dclad μm - 125 -
Diamètre de tampon Dbuf μm - 250 -
Ouverture numérique Na Na - 0,15 -
Longueur de fibre LF m - 2 -
Diamètre lâche de tuyauterie de fibre - μm PVC 180cm de 0.9mm
Rayon de cintrage minimum - millimètre 120 - -
Arrêt de fibre - - - Aucun -
Isolement de retour Longueur d'onde de réflexion arrière λ nanomètre 1040-1200
Isolement de réflexion arrière - DB - 30 -
D'autres ESD Vesd V - - 500
Température de stockage Essai -20 - 70
Temp de soudure d'avance Tls - - 260
Temps de soudure d'avance t sec - - 10
Température de carter fonctionnante Dessus 25 - 30
Hygrométrie Rhésus % 15 - 75

Coordonnées
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