830nm diode laser K83S02F-1.00W

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Description de produit détaillée

Applications :

） Du （25℃ de caractéristiques			Symbole	Unité	K83S04F-1.00W
Données optiques		puissance d'Onde-rendement	PO	W	1
		Longueur d'onde centrale	LC	nanomètre	830
		Tolérance de l	-	nanomètre	±10
		Largeur spectrale (FWHM)	△l	nanomètre	<3
		Dérive de la température de l	-	nm/℃	~0.3
Données de fibre		Diamètre de noyau de fibre	Carte de travail	µm	62.5
		Ouverture numérique	Na	-	0.22
		Connecteur de fibre	-	-	FC, RUE, SMA-905
Données électriques		Courant d'opération	IOP	A	1.5
		Courant de seuil	Ith	A	0.2
		Efficacité de conversion	η	%	37
		Efficacité de pente	ηD	W/A	0.8
		Tension d'opération	VOP	V	1.8
		Tension inverse	Vre	V	2
Données de puissance de sortie		NA=0.15	-	%	>95
		NA=0.12	-	%	>90
		NA=0.06	-	%	>50
D'autres	La température d'opération		Dessus	℃	10~30
	La température de stockage		Essai	℃	-20~+80
	Vie prévue		Moyenne des temps de bon fonctionnement	h	>10,000
	Dimensions (fibre et connecteur non inclus)		-	millimètre	26.0×12.7×7.0
	La température de soudure de fil		Tis	℃	260 (sec 10.)

Produit Tag : laser 830nm , diode laser 830nm , diode laser

Coordonnées

BWT Beijing Ltd

Personne à contacter: Ms.Hellen Wang

Tel:86-10-83681052

Fax:86-10-83682949